GB 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
作者:标准资料网
时间:2024-05-03 04:59:39
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基本信息
标准名称: | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 |
英文名称: | Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal |
中标分类: | 电子元器件与信息技术 >> 电子设备专用材料、零件、结构件 >> 电子技术专用材料 |
ICS分类: | |
发布部门: | 中华人民共和国机械电子工业部 |
发布日期: | 1988-10-09 |
实施日期: | 1990-01-01 |
首发日期: | 1989-03-31 |
作废日期: | 1900-01-01 |
主管部门: | 国家标准化管理委员会 |
归口单位: | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
起草单位: | 机械电子工业部第十一研究所 |
起草人: | 李文华 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 1900-01-01 |
页数: | 3页 |
适用范围
在晶体中,由于缺陷处的势能较高,在缺陷处的腐蚀速率较大,在适当的腐蚀剂中,当缺陷处的腐蚀速率远高于完整晶面的腐蚀速率时,在缺陷处就会形成位错蚀坑和其他斑痕,在金相显微镜下可以观测多种缺陷。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类: 电子元器件与信息技术 电子设备专用材料 零件 结构件 电子技术专用材料
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